सामग्री

• तुलना चार्ट
• एसआरएएम ची व्याख्या
• स्वतंत्र सेलसाठी एसआरएएमचे काम:
• DRAM ची व्याख्या
• टिपिकल डीआरएएम सेलचे काम:
• निष्कर्ष

एसआरएएम आणि डीआरएएम हे मोड आहेत इंटिग्रेटेड-सर्किट रॅम जेथे एसआरएएम बांधकामात ट्रान्झिस्टर आणि लॅच वापरतात तर डीआरएएम कॅपेसिटर आणि ट्रान्झिस्टर वापरतात. हे बर्‍याच प्रकारे वेगळे केले जाऊ शकते, जसे की एसआरएएम हे डीआरएएमपेक्षा तुलनेने वेगवान आहे; म्हणूनच एसआरएएम चा वापर कॅशे मेमरीसाठी केला जातो तर डीआरएएम मुख्य मेमरीसाठी वापरला जातो.

रॅम (रँडम Memक्सेस मेमरी) हा एक प्रकारचा मेमरी आहे ज्यामध्ये डेटा टिकवून ठेवण्यासाठी स्थिर शक्तीची आवश्यकता असते, एकदा वीजपुरवठा खंडित झाला की डेटा गमावला जाईल, म्हणूनच म्हणून ओळखले जाते अस्थिर स्मृती. रॅममध्ये वाचणे आणि लिहिणे सोपे आणि वेगवान आहे आणि इलेक्ट्रिकल सिग्नलद्वारे साध्य केले आहे.

1. तुलना चार्ट
2. व्याख्या
3. मुख्य फरक
4. निष्कर्ष

तुलना चार्ट

तुलना करण्यासाठी आधार	SRAM	ड्रम
वेग	वेगवान	हळू
आकार	लहान	मोठा
किंमत	महाग	स्वस्त
मध्ये वापरले	कॅशे मेमरी	मुख्य स्मृती
घनता	कमी दाट	अत्यंत दाट
बांधकाम	कॉम्प्लेक्स आणि ट्रान्झिस्टर आणि लॅच वापरते.	सोपी आणि कॅपेसिटर आणि फारच कमी ट्रान्झिस्टर वापरते.
मेमरीचा एकल ब्लॉक आवश्यक आहे	6 ट्रान्झिस्टर	फक्त एक ट्रान्झिस्टर.
चार्ज गळती मालमत्ता	उपस्थित नाही	म्हणून विद्युतीला रीफ्रेश सर्किटरी आवश्यक आहे
वीज वापर	कमी	उंच

एसआरएएम ची व्याख्या

एसआरएएम (स्टॅटिक रँडम Memक्सेस मेमरी) च्या पासून बनवलेले आहे सीएमओएस तंत्रज्ञान आणि सहा ट्रान्झिस्टर वापरतात. त्याचे बांधकाम फ्लिप-फ्लॉपसारखेच डेटा (बायनरी) साठवण्यासाठी दोन क्रॉस-युग्ल्ड इनव्हर्टर आणि controlक्सेस कंट्रोलसाठी अतिरिक्त दोन ट्रांजिस्टरचा समावेश आहे. हे डीआरएएम सारख्या इतर रॅम प्रकारांपेक्षा तुलनेने वेगवान आहे. हे कमी उर्जा वापरते. जोपर्यंत वीज दिली जाते तोपर्यंत एसआरएएम डेटा ठेवू शकतो.

स्वतंत्र सेलसाठी एसआरएएमचे काम:

स्थिर तर्कशास्त्र स्थिती निर्माण करण्यासाठी, चार ट्रान्झिस्टर (टी 1, टी 2, टी 3, टी 4) क्रॉस-कनेक्टेड मार्गाने आयोजित केले आहेत. लॉजिक स्टेट 1 निर्माण करण्यासाठी, नोडसी 1 उच्च आहे, आणि सी 2 कमी आहे; या राज्यात, टी 1 आणि टी 4 बंद आहेत, आणि टी 2 आणि टी 3 चालू आहेत. लॉजिक स्टेट 0, जंक्शनसाठी सी 1 कमी आहे, आणि सी 2 जास्त आहे; दिलेल्या राज्यात टी 1 आणि टी 4 चालू आहेत, आणि टी 2 आणि टी 3 बंद आहेत थेट चालू (डीसी) व्होल्टेज लागू होईपर्यंत दोन्ही राज्ये स्थिर आहेत.

एसआरएएम पत्ता ओळ स्विच उघडण्यासाठी आणि बंद करण्यासाठी आणि T5 आणि T6 ट्रान्झिस्टर वाचण्यासाठी आणि लिहिण्याची परवानगी देण्यासाठी नियंत्रित आहे. वाचन ऑपरेशनसाठी या lineड्रेस लाइनवर सिग्नल लागू केला जातो, त्यानंतर टी 5 आणि टी 6 चालू होते आणि बी बी मधून थोडा व्हॅल्यू वाचला जातो. राइट ऑपरेशनसाठी, सिग्नल बीला नियुक्त केला जातो. बिट लाइन, आणि त्याचे पूरक बी ला लागू आहे.

DRAM ची व्याख्या

DRAM (डायनॅमिक रँडम Memक्सेस मेमरी) रॅमचा एक प्रकार देखील आहे जो कॅपेसिटर आणि काही ट्रान्झिस्टर वापरुन तयार केला आहे. कॅपेसिटरचा वापर डेटा संचयित करण्यासाठी केला जातो जिथे बिट व्हॅल्यू 1 असे सूचित करते की कॅपेसिटर चार्ज झाला आहे आणि थोडा व्हॅल्यू 0 म्हणजे कॅपेसिटर डिस्चार्ज झाला आहे. कॅपेसिटर डिस्चार्ज होण्याकडे झुकत आहे, परिणामी शुल्क गळती होते.

डायनॅमिक टर्म असे सूचित करते की सतत पुरवठा करणार्‍या शक्तीच्या उपस्थितीतही शुल्क निरंतर गळती होत आहे आणि यामुळेच जास्त वीज वापरली जाते. बराच काळ डेटा टिकवून ठेवण्यासाठी, त्यास वारंवार रीफ्रेश करणे आवश्यक आहे ज्यासाठी अतिरिक्त रीफ्रेश सर्किटरी आवश्यक आहे. लीक चार्जमुळे डीआरएएम डेटा चालू केला तरीही पॉवर चालू केला आहे. डीआरएएम जास्त प्रमाणात क्षमतामध्ये उपलब्ध आहे आणि कमी खर्चिक आहे. मेमरीच्या एकाच ब्लॉकसाठी त्यास केवळ एकच ट्रांझिस्टर आवश्यक आहे.

टिपिकल डीआरएएम सेलचे काम:

सेलमधून बिट व्हॅल्यू वाचताना आणि लिहिताना अ‍ॅड्रेस लाइन सक्रिय केली जाते. सर्किटरीमध्ये उपस्थित ट्रान्झिस्टर स्विचप्रमाणे वागतो बंद (विद्युत् प्रवाह वाहून नेणे) जर अ‍ॅड्रेस लाइनवर व्होल्टेज लागू असेल तर उघडा (चालू प्रवाह नाही) अ‍ॅड्रेस लाइनवर व्होल्टेज लागू न केल्यास. लेखन ऑपरेशनसाठी, व्होल्टेज सिग्नल बिट लाईनवर नियुक्त केला जातो जेथे उच्च व्होल्टेज 1 दर्शविला जातो, आणि कमी व्होल्टेज 0 दर्शवितो. सिग्नल नंतर अ‍ॅड्रेस लाइनमध्ये वापरला जातो जो कॅपेसिटरवर शुल्क हस्तांतरित करण्यास सक्षम करतो.

वाचन ऑपरेशन कार्यान्वित करण्यासाठी जेव्हा अ‍ॅड्रेस लाइन निवडली जाते, तेव्हा ट्रान्झिस्टर चालू होते आणि कॅपेसिटरवर संचयित शुल्क थोडी ओळीवर आणि सेन्स एम्पलीफायरला दिले जाते.

सेन्सेज व्हॅल्यूजची तुलना संदर्भाशी तुलना करून सेलमध्ये लॉजिक 1 किंवा लॉजिक 2 आहे की नाही हे सेन्स एम्पलीफायर निर्दिष्ट करते. सेलच्या वाचनामुळे कॅपेसिटर डिस्चार्ज होतो, जे ऑपरेशन पूर्ण करण्यासाठी पुनर्संचयित केले जाणे आवश्यक आहे. जरी डीआरएएम मुळात एक अ‍ॅनालॉग डिव्हाइस आहे आणि एकल बिट संचयित करण्यासाठी वापरला जातो (उदा. 0,1)

1. एसआरएएम एक आहे ऑन-चिप स्मृती ज्यांचा प्रवेश वेळ लहान असतो तर डीआरएएम एक ऑफ-चिप memoryक्सेससाठी मोठा वेळ असलेल्या मेमरी. म्हणून SRAM DRAM पेक्षा वेगवान आहे.
2. DRAM मध्ये उपलब्ध आहे मोठे एसआरएएमची असताना स्टोरेज क्षमता लहान आकार.
3. एसआरएएम आहे महाग DRAM आहे तर स्वस्त.
4. द कॅशे मेमरी एसआरएएम चा अनुप्रयोग आहे. याउलट, DRAM मध्ये वापरले जाते मुख्य स्मृती.
5. DRAM आहे अत्यंत दाट. त्याउलट एसआरएएम आहे दुर्मिळ.
6. एसआरएएमचे बांधकाम आहे जटिल मोठ्या संख्येने ट्रान्झिस्टरच्या वापरामुळे. उलटपक्षी, DRAM आहे सोपे डिझाइन आणि अंमलबजावणी करण्यासाठी.
7. एसआरएएममध्ये मेमरीचा एक ब्लॉक आवश्यक आहे सहा ट्रान्झिस्टर तर स्मृतीच्या एकाच ब्लॉकसाठी डीआरएएमला फक्त एक ट्रान्झिस्टर आवश्यक आहे.
8. डीआरएएमला डायनामिक असे नाव देण्यात आले आहे, कारण त्यात कपॅसिटर वापरते गळका विद्युतप्रवाह वाहक प्लेट्स विभक्त करण्यासाठी कपॅसिटरच्या आत वापरण्यात आलेल्या डायलेक्ट्रिकमुळे परिपूर्ण इन्सुलेटर नाही म्हणून पॉवर रीफ्रेश सर्किटरीची आवश्यकता असते. दुसरीकडे, एसआरएएममध्ये शुल्क गळतीचा प्रश्न नाही.
9. एसआरएएमपेक्षा डीआरएएममध्ये वीज वापर जास्त आहे. एसआरएएम स्विचद्वारे करंटची दिशा बदलण्याच्या तत्त्वावर कार्य करतो तर डीआरएएम शुल्क ठेवण्याचे काम करते.

निष्कर्ष

डीआरएएम एसआरएएमचा वंशज आहे. एसआरएएमच्या तोटेवर मात करण्यासाठी डीआरएएम तयार केले गेले आहे; डिझाइनर्सनी थोडीशी मेमरी वापरलेली मेमरी एलिमेंट्स कमी केली ज्यामुळे डीआरएएम खर्च कमी झाला आणि स्टोरेज क्षेत्र वाढले. परंतु, डीआरएएम धीमे आहे आणि एसआरएएमपेक्षा अधिक उर्जा वापरते, शुल्क ठेवण्यासाठी काही मिलिसेकंदांमध्ये वारंवार रीफ्रेश केले जाणे आवश्यक आहे.